专利详情

专利名称	采用体有源层材料作为前驱体诱导有源层有序生长的方法
申请号	CN200910077674.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101800285A	公开（授权）日	2010.08.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘舸;刘明;刘兴华;商立伟;王宏;柳江
主分类号	H01L51/40(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/40(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I
专利有效期	采用体有源层材料作为前驱体诱导有源层有序生长的方法至采用体有源层材料作为前驱体诱导有源层有序生长的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种采用体有源层材料作为前驱体诱导有源层有序生长的方法，该方法包括：在导电硅基底上热氧化生长绝缘介质薄膜；在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到平行排列的线条图形；真空蒸镀一层有机半导体薄膜；用丙酮剥离掉光刻胶形成平行排列的有机诱导线条；沉积生长有机半导体薄膜；通过镂空的掩模版沉积源漏电极，完成有源层有机半导体材料有序取向的有机场效应晶体管的制备。本发明特点是使用与器件有源层材料相同的有机材料来诱导沟道内有源层的有序生长，由于形貌上的相同，诱导线条不仅能有效的干预材料的生长，而且还可以保证在两种材料之间具有良好的接触，提高了工艺可控性，简化了工艺，降低了成本。