专利详情

专利名称	双层上电极有机场效应晶体管的制作方法
申请号	CN200910077673.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101800284A	公开（授权）日	2010.08.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘舸;刘明;刘兴华;商立伟;王宏;柳江
主分类号	H01L51/40(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/40(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I
专利有效期	双层上电极有机场效应晶体管的制作方法至双层上电极有机场效应晶体管的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种双层上电极有机场效应晶体管的制作方法，该方法包括：步骤1、在导电硅基底上热氧化生长绝缘介质薄膜；步骤2、在绝缘介质薄膜表面上真空蒸镀一层有机半导体材料；步骤3、通过漏版用电子束蒸发蒸镀一层金属电极；步骤4、再真空蒸镀一层有机半导体材料；步骤5、通过漏版用电子束蒸发蒸镀第二层金属电极，完成器件的制作。本发明提供的双层上电极有机场效应晶体管的制作方法，采用漏版蒸镀工艺，保证了生长的有机半导体薄膜的性能。而且，采用双层上电极结构，有效的减小了电极与沟道之间的距离，同时又保证了有源层的厚度。两层金属电极之间依靠金属粒子渗透进有机半导体材料而互连，从而不需要额外的互连工艺。