专利详情

专利名称	相变存储器芯片版图结构
申请号	CN201010107872.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101800237A	公开（授权）日	2010.08.11
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	王倩;陈后鹏;蔡道林;宋志棠
主分类号	H01L27/24(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/24(2006.01)I
专利有效期	相变存储器芯片版图结构至相变存储器芯片版图结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明揭示了一种相变存储器芯片版图结构，所述相变存储器芯片版图包括第一版图区、第二版图区、第三版图区、第四版图区、第五版图区和第六版图区；第一版图区、第二版图区、第三版图区和第四版图区位于相变存储器芯片版图的中央；第一版图区与第二版图区相连，第二版图区与第三版图区相连，第二版图区与第四版图区相连，第三版图区与第四版图区相连；第五版图区覆盖版图中央、除第一版图区、第二版图区、第三版图区和第四版图区外的其他空白区域；第六版图区均匀分布在相变存储器芯片版图的四周和四角。本发明提出的相变存储器芯片版图结构，芯片版图布局合理，有效减小了压控振荡器噪声以及数字电路的噪声对模拟电路和存储阵列的干扰。