专利详情

专利名称	一种双金属栅功函数的调节方法
申请号	CN200910077620.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101800196A	公开（授权）日	2010.08.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	徐秋霞;许高博
主分类号	H01L21/8238(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I
专利有效期	一种双金属栅功函数的调节方法至一种双金属栅功函数的调节方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种双金属栅功函数的调节方法，主要步骤为：(1)用快速热氧化生长超薄界面氧化层或氮氧化层；(2)利用磁控反应溅射在超薄界面氧化层上交替溅射淀积高介电常数(K)栅介质，(3)淀积高K栅介质后，快速热退火；(4)采用磁控反应溅射淀积金属氮化物栅；(5)金属离子注入对金属氮化物栅进行掺杂；(6)刻蚀形成金属栅电极后，进行快速热退火将金属离子驱动到金属栅与高K栅介质的界面上。此方法简单易行，具有好的热稳定性和调节金属栅功函数的能力，而且与CMOS工艺完全兼容，便于集成电路产业化。