专利详情

专利名称	利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法
申请号	CN200610003072.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101017776	公开（授权）日	2007.08.15
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	杨少延;陈涌海;李成明;范海波;王占国
主分类号	H01L21/203(2006.01)	IPC主分类号	H01L21/203(2006.01);C23C14/35(2006.01);C23C14/58(2006.01);C23C14/00(2006.01)
专利有效期	利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法至利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种制备氧化锌薄膜材料的方法，特别是指一种利用SOI可协变衬底，采用磁控溅射设备制备生长氧化锌薄膜材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选用顶部具有超薄硅单晶层的SOI材料作为硅基可协变衬底；步骤2：将溅射靶材装入磁控溅射设备主生长室；步骤3：进行溅射靶材的表面预溅射处理；步骤4：将清洗过的SOI可协变衬底装入磁控溅射设备的主生长室；步骤5：进行SOI可协变衬底的加热烘烤除气处理；步骤6：氧化锌薄膜材料的磁控溅射方法制备生长；步骤7：氧化锌薄膜材料的原位退火处理；步骤8：将降到室温的氧化锌样品取出，完成氧化锌薄膜材料的制备。