专利详情

专利名称	高速率半导体光发射组件的封装结构及方法
申请号	CN200610003069.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101017956	公开（授权）日	2007.08.15
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	吴德馨;杨成樾;李宝霞
主分类号	H01S5/026(2006.01)	IPC主分类号	H01S5/026(2006.01);H01S5/022(2006.01);H01S5/024(2006.01);H01S5/00(2006.01);H01L25/00(2006.01);H01L23/00(2006.01);H01L21/50(2006.01);G02B6/00(2006.01);H04B10/02(2006.01)
专利有效期	高速率半导体光发射组件的封装结构及方法至高速率半导体光发射组件的封装结构及方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明主要涉及光纤通信领域，特别是一种高速率半导体光发射组件的封装结构及方法。结构包括；带有射频连接头的蝶形管壳、半导体致冷器、KOVAR金属热沉、介质热沉基片、光发射器件、热敏电阻、背光检测探测器、用互连金丝连接直流接线电极和管壳引脚，用金丝或金带连接介质热沉基片和介质基片上的共面波导传输线，以及光学耦合组件。方法包括：直流端口在管壳外部采用等间距排列的BTF标准封装形式；高频端口采用射频连接头；光学组件部分采用的是分离式调整；还具有热敏电阻和背光探测器便于监视半导体激光器的工作状态；带有半导体致冷器，用于对光发射芯片的工作温度进行控制。