专利详情

专利名称	一种三维植入式微电极阵列的制作方法
申请号	CN200710036837.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101006920	公开（授权）日	2007.08.01
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李刚;程建功;姚源;周洪波;孙晓娜;赵建龙
主分类号	A61B5/04(2006.01)	IPC主分类号	A61B5/04(2006.01);A61N1/05(2006.01);H01L21/00(2006.01);H05K3/00(2006.01)
专利有效期	一种三维植入式微电极阵列的制作方法至一种三维植入式微电极阵列的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及了一种三维植入式微电极阵列的制作方法，特征在于直接采用商品化的金属丝作为电极材料，并将金属丝嵌入利用微细加工技术制作的模具基片的微细凹槽中，一方面利用模具基片上的微细管道通过电化学腐蚀方法实现金属丝的定点断裂，并在断面处形成尖端；另一方面通过在模具基片上浇注聚二甲基硅氧烷(PDMS)，利用聚合后的PDMS形成夹持金属丝电极的底座支撑部分；然后将包含金属丝的PDMS从模具基片上剥离切割，通过氧等离子轰击后叠加键合在一起组装成三维微电极阵列。本发明提供了一种加工简单、成本低廉的三维植入式微电极阵列制作方法，可用于加工制作进行神经疾病治疗、神经康复以及神经生物学基础研究的植入式微电极阵列。