专利详情

专利名称	可调控荧光波长的Ⅱ－Ⅵ族半导体核壳量子点的制备方法
申请号	CN200710036412.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101003732	公开（授权）日	2007.07.25
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	乐阳;陈静;吴杰;孙艳;胡古今;戴宁
主分类号	C09K11/54(2006.01)	IPC主分类号	C09K11/54(2006.01);C09K11/02(2006.01)
专利有效期	可调控荧光波长的Ⅱ－Ⅵ族半导体核壳量子点的制备方法至可调控荧光波长的Ⅱ－Ⅵ族半导体核壳量子点的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种可调控荧光波长的II－VI族半导体核壳量子点的制备方法，该方法是在采用交替离子注入技术包覆CdSe量子点的基础上，将制备好的CdSe核量子点在高温下暴露于空气中，根据暴露时间实现对核量子点荧光进行调控，然后在无水无氧反应氛围下实现包覆。在温度一定条件下，核CdSe样品与大气接触时间越长，核量子点荧光波长越短。本发明的优点是：简化了核量子点的制备，只需单一发红光量子点核作为原料，就能包覆出分别发射红、黄、绿荧光的核壳量子点；虽然核量子点荧光蓝移后出现缺陷态发光，但在包覆CdS后，缺陷态发光可基本消除。