专利详情

专利名称	一种基于微纳米结构的样品富集芯片、制作方法及富集方法
申请号	CN200710036415.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101000290	公开（授权）日	2007.07.18
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	金庆辉;刘菁;赵建龙
主分类号	G01N1/34(2006.01)	IPC主分类号	G01N1/34(2006.01);G01N30/08(2006.01)
专利有效期	一种基于微纳米结构的样品富集芯片、制作方法及富集方法至一种基于微纳米结构的样品富集芯片、制作方法及富集方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种基于微纳米结构的样品富集芯片、制作方法及富集方法，其特征在于所述的富集芯片是以石英玻璃为基底材料，由富集纳米沟道和微米级样品传输管道组成，富集纳米沟道架在两微米级管道间。首先应用MEMS工艺在石英玻璃表面加工出纳米沟道及样品运输通道，严格控制纳米沟深度，使其符合离子陷落要求；利用低温键合方法，将打好样品孔的基片与盖片低温键合。然后在芯片管道中灌入需要富集的样品，在样品池间加直流电压，在纳米沟中形成电场；由于纳米沟道内德拜层的叠加，而在纳米沟旁形成离子陷落带；在电场作用下运动的样品由于无法通过离子陷落带而在纳米沟旁富集，形成样品富集带。具有芯片体积小和富集过程中不破坏富集成分的特点。