专利详情

专利名称	一种用于磁共振成像的窄通道冷却超导磁体结构
申请号	CN201120027046.4	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN202013788U	公开（授权）日	2011.10.19
申请（专利权）人	中国科学院高能物理研究所;潍坊新力超导磁电科技有限公司	发明（设计）人	张国庆;朱自安;赵玲;杜晓纪;王美芬;马文彬;姚卫超;侯治龙;宁飞鹏;王兆连;李培勇;胡金刚
主分类号	H01F6/04(2006.01)I	IPC主分类号	H01F6/04(2006.01)I;H01F6/06(2006.01)I;G01R33/3815(2006.01)I
专利有效期	一种用于磁共振成像的窄通道冷却超导磁体结构至一种用于磁共振成像的窄通道冷却超导磁体结构	法律状态
说明书摘要	本实用新型公开了一种用于磁共振成像的窄通道冷却超导磁体结构，包括线圈骨架，线圈骨架的两端设有骨架端板，线圈骨架上设有由超导带材绕制而成的多层超导线圈，超导线圈构成超导磁体本体，超导磁体本体内设有液氦冷却通道，骨架端板的内侧面上设有导液凹槽，液氦冷却通道与导液凹槽相连通。通过液氦冷却通道在超导磁体的绕组中引入一定的液氦，使液氦可以与超导带材部分表面直接接触，大大增加液氦对于超导磁体内瞬态热源的冷却能力，能够及时地吸收由导线运动及其他原因所释放的能量，改善超导磁体内部的导冷条件，提高磁共振成像超导磁体的稳定性和克服“锻炼”效应。