专利详情

专利名称	一种高温下稳定使用的铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法
申请号	CN200610147892.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1994966	公开（授权）日	2007.07.11
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	李玉臣;包绍明;周志勇;姚烈;董显林
主分类号	C04B35/462(2006.01)	IPC主分类号	C04B35/462(2006.01);C04B35/475(2006.01);C04B35/622(2006.01)
专利有效期	一种高温下稳定使用的铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法至一种高温下稳定使用的铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	一种在高温下稳定使用的铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法，属压电陶瓷领域。铋层状结构型压电陶瓷材料的化学通式为：Bi₂O₂²⁺(A_m－1B_mO_3m+1)²；其中CaBi₄Ti₄O₁₅相应的化学式为：(Bi₂O₂)²⁺(CaBi₂Ti₄O₁₃)²⁺，A位为Ca²⁺、Bi³⁺离子，B位为Ti⁴⁺离子，m＝4。本发明的压电陶瓷材料采用传统固相反应法进行制备，可获得各种形状的压电陶瓷元件；材料的主要性能为：ε₃₃^T/ε₀＝130，tanδ＝0.10％，T_c＝782℃，d₃₃＝19pC/N，ρ_v(480℃)＝1×10⁹Ω·cm，且能在室温至480℃范围内反复使用。利用这类陶瓷元件组装成的各种压电传感器，可在高温条件下的测量、探测与自动控制等方面获得广泛应用。