专利详情

专利名称	一种高体电阻率铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法
申请号	CN200610147890.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1986485	公开（授权）日	2007.06.27
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	李玉臣;周志勇;包绍明;姚烈;董显林
主分类号	C04B35/462(2006.01)	IPC主分类号	C04B35/462(2006.01);C04B35/475(2006.01);C04B35/622(2006.01);H01L41/187(2006.01)
专利有效期	一种高体电阻率铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法至一种高体电阻率铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	一种高体电阻率铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法，属于陶瓷组成与制备领域。铋层状型压电陶瓷材料的化学通式为：(Bi₂O₂)²⁺(A_m－1B_mO_3m+1)^2－；其中，SrBi₄Ti₄O₁₅相对应的化学式为：(Bi₂O₂)²⁺(SrBi₂Ti₄O₁₃)^2－，A位是Sr²⁺、Bi³⁺离子，B位是Ti⁴⁺离子，m＝4。本发明采用行星球磨、敞开粉末合成、敞开烧结的压电陶瓷工艺进行制备，材料的主要性能为：ε₃₃^T/ε₀＝160±20，tanδ＝0.28％，T_c＝530℃，d₃₃＝21pC/N，ρ_v(400℃)＝1.2×10¹⁰Ω·cm，可以制成各种形状的压电陶瓷元件，且能在室温至400℃范围内反复使用。利用这种材料制得的陶瓷元件，组装成各种压电传感器，可以在高温条件下的测量、探测与自动控制方面获得广泛应用。