专利详情

专利名称	可释放热失配应力的硅基碲镉汞凝视红外焦平面器件芯片
申请号	CN200610148070.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1988166	公开（授权）日	2007.06.27
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	胡晓宁;叶振华;何力
主分类号	H01L27/144(2006.01)	IPC主分类号	H01L27/144(2006.01)
专利有效期	可释放热失配应力的硅基碲镉汞凝视红外焦平面器件芯片至可释放热失配应力的硅基碲镉汞凝视红外焦平面器件芯片	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种可释放热失配应力的硅基碲镉汞凝视红外焦平面器件芯片，该芯片包括Si衬底，与Si衬底牢固结合的碲镉汞外延薄膜，通过常规的器件芯片制备工艺在碲镉汞外延薄膜上形成的光敏元列阵，在每10－20个光敏元间的隔离区，均匀地置有通过等离子体刻蚀形成的可释放热失配应力的小孔，从而使焦平面器件芯片在室温—低温(80K)的温度循环过程中，热失配应力在局部小区域得到释放，使整个焦平面范围内的光敏元性能不因为热失配应力而导致失效，提高芯片的可靠性。