专利详情

专利名称	生长纳米级气泡的方法及其观察并控制装置与方法
申请号	CN200510111757.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1987414	公开（授权）日	2007.06.27
申请（专利权）人	中国科学院上海应用物理研究所	发明（设计）人	张立娟;胡钧;方海平;樊春海;张益;沈广霞
主分类号	G01N13/00(2006.01)	IPC主分类号	G01N13/00(2006.01);G01N1/28(2006.01);C25B1/00(2006.01)
专利有效期	生长纳米级气泡的方法及其观察并控制装置与方法至生长纳米级气泡的方法及其观察并控制装置与方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种生长纳米级气泡的方法，其采用电化学方法，以疏水的、表面粗糙度不超过10纳米的导电材料为工作电极，同时作为生长纳米气泡的基底，并控制电压至少为0.7V的正压或负压，反应时间为1秒～2.5小时。本发明也公开了一种观测并控制上述生长纳米级气泡的装置和方法。本发明方法可以产生某一单体成分的纳米级气泡，具有很好重现性，操作简便；而且，通过改变电压和反应时间可以控制纳米气泡的大小和数量。