专利详情

专利名称	一种高性能B超换能器用压电陶瓷材料及其制备方法
申请号	CN200610147891.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1986486	公开（授权）日	2007.06.27
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	李玉臣;包绍明;姚烈;董显林
主分类号	C04B35/491(2006.01)	IPC主分类号	C04B35/491(2006.01);C04B35/622(2006.01);H01L41/187(2006.01)
专利有效期	一种高性能B超换能器用压电陶瓷材料及其制备方法至一种高性能B超换能器用压电陶瓷材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种高性能B超换能器用压电陶瓷材料及其制备方法，属压电陶瓷领域。其特征在于：材料的基本化学组成为：Pb_1－m－nSr_mBa_n(Nb_2/3Mg_1/3)_x(Nb_2/3Zn_1/3)_0.25－xZr_yTi_zO₃＋amolSiO₂＋bmolSb₂O₃，其中，m+n＝0～0.20；x＝0.0～0.25；y＝0.20～0.40；z＝0.20～0.4；x+y+z＝1；a＝0.0～0.5；b＝0.0～0.5。本发明采用铌锌、铌镁和锆钛酸铅组成四元系压电陶瓷，在A位用Sr和Ba复合置换部分铅，并通过添加合适的添加物，采用传统固相反应法，获得了一种压电常数d₃₃＝780pC/N，ε₃₃^T/ε_o＝3800，tanδ＝1.36，Kp＝0.75，Q_m＝55的高性能压电陶瓷材料。利用这种材料制得的陶瓷元件，组装成压电换能器，可以在医疗超声成像检测等方面获得广泛应用。