专利详情

专利名称	一种适于器件化的磁性隧道结及其用途
申请号	CN200510130665.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1988199	公开（授权）日	2007.06.27
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	魏红祥;马明;覃启航;韩秀峰;詹文山
主分类号	H01L43/08(2006.01)	IPC主分类号	H01L43/08(2006.01);H01L43/10(2006.01);H01F10/00(2006.01);H01F10/32(2006.01);G11C11/16(2006.01);G11C11/15(2006.01);G11B5/39(2006.01);G01R33/09(2006.01)
专利有效期	一种适于器件化的磁性隧道结及其用途至一种适于器件化的磁性隧道结及其用途	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种适于器件化的磁性隧道结，包括一衬底及其上的缓冲层，在所述的缓冲层上依次沉积的钉扎层、被钉扎软磁层、绝缘层、自由软磁层及覆盖层，其特征在于：所述的绝缘层为一复合膜层，其上下两层为0.2～2nm厚度的金属层或是绝缘体势垒层，中间层为0.5～5nm厚度的氧化铝膜层。该磁性隧道结能够广泛应用于以磁性隧道结为核心的各种器件。本发明提供的适于器件化的磁性隧道结，可以克服现有技术的缺陷，提高磁性隧道结的性能，使其在保持高的磁电阻比值和低的电阻与结面积的积矢的情况下，还具有重复性和稳定性好，信噪比高，寿命长等优点，能够满足大规模产品化的要求。