利用多层侧墙技术制备纳米压印模版的方法
- 申请号：CN200510126492.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN1982202
- 公开(公开)日：2007.06.20
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 利用多层侧墙技术制备纳米压印模版的方法 | ||
| 申请号 | CN200510126492.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN1982202 | 公开（授权）日 | 2007.06.20 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 涂德钰;王丛舜;刘明 |
| 主分类号 | B81C1/00(2006.01) | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01);G03F7/00(2006.01);G03F7/12(2006.01);G02B5/18(2006.01);G03H1/04(2006.01) |
| 专利有效期 | 利用多层侧墙技术制备纳米压印模版的方法 至利用多层侧墙技术制备纳米压印模版的方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 一种利用多层侧墙技术制备纳米压印模版的方法，其工艺步骤如下：1.在透光基片上淀积一层结构薄膜；2.淀积另外一种材料作为第二层结构薄膜；3.根据线条设计要求重复步骤1和2；4.采用化学机械平坦化或研磨等方法抛光基片表面，得到由第一种与第二种结构材料交替组成的侧墙阵列；5.选择腐蚀或刻蚀两种结构材料的侧墙，形成纳米压印模版。 | ||
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