专利详情

专利名称	采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法
申请号	CN200510127446.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1979772	公开（授权）日	2007.06.13
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	石莎莉;陈大鹏;欧毅;谢常青;叶甜春
主分类号	H01L21/306(2006.01)	IPC主分类号	H01L21/306(2006.01);H01L21/31(2006.01);B81C1/00(2006.01)
专利有效期	采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法至采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法	法律状态	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
说明书摘要	本发明涉及微电子技术领域，特别是一种采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法。其工艺步骤如下：1.在<100>硅基片上淀积SiN_x薄膜；2.光刻，刻蚀SiN_x薄膜，形成腐蚀窗口，去胶；3.腐蚀硅衬底，形成硅突点；4.表面淀积SiO₂薄膜牺牲层；5.光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀SiO₂薄膜孔，去铬，清洗处理表面；6.表面淀积SiN_x薄膜；7.积铬薄膜，光刻，去铬，刻蚀SiN_x薄膜和SiO₂薄膜腐蚀槽；8.腐蚀释放SiO₂薄膜牺牲层；9.表面淀积SiN_x薄膜，密封腐蚀槽。