一种紫外固化纳米压印模版的制备方法
- 申请号：CN200510130437.8
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN1979341
- 公开(公开)日：2007.06.13
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 一种紫外固化纳米压印模版的制备方法 | ||
| 申请号 | CN200510130437.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN1979341 | 公开（授权）日 | 2007.06.13 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 涂德钰;王丛舜;刘明 |
| 主分类号 | G03F7/20(2006.01) | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01);H01L21/00(2006.01) |
| 专利有效期 | 一种紫外固化纳米压印模版的制备方法 至一种紫外固化纳米压印模版的制备方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明属于微电子学与纳米电子学中的微纳加工领域，特别涉及一种紫外固化纳米压印模版的制备。其工艺步骤如下：1.在透光基片上淀积一层易于刻蚀的薄膜；2.旋涂抗蚀剂；3.淀积一层导电薄膜；4.光刻、显影得到模版图形；5.以抗蚀剂做掩蔽刻蚀第一层薄膜材料，将模版图形转移到薄膜上；6.去除残余抗蚀剂，完成紫外固化纳米压印模版。 | ||
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