专利详情

专利名称	纳米压印和光学光刻匹配混合的声表面波器件制备方法
申请号	CN200510126232.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1979340	公开（授权）日	2007.06.13
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王丛舜;牛洁斌;涂德钰;谢常青;陈宝钦;刘明
主分类号	G03F7/20(2006.01)	IPC主分类号	G03F7/20(2006.01)
专利有效期	纳米压印和光学光刻匹配混合的声表面波器件制备方法至纳米压印和光学光刻匹配混合的声表面波器件制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	一种采用纳米压印和光学光刻匹配混合的声表面波器件制备方法，其工艺步骤如下：1.在压电基片上旋涂压印胶；2.制备含有声表面波器件叉指图形和对准标记的压模并对其表面进行防粘连处理；3.将压模压入压印胶中，通过加热、加压或紫外光辐照固化等压印方式得到叉指和对准标记的胶图形；4.分离压模和基片；5.利用氧等离子干法刻蚀残胶，直到露出基片；6.溅射或蒸发电极材料；7.剥离得到叉指电极和对准标记图形；8.在基片上旋涂光刻胶；9.对声表面波器件的其余图形进行套准光刻；10.溅射或蒸发电极材料；11.剥离得到图形，完成声表面波器件的制备。