专利详情

专利名称	一种平面集成的三维磁场传感器及其制备方法和用途
申请号	CN200510126428.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1979210	公开（授权）日	2007.06.13
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	覃启航;韩秀峰;王磊;马明;魏红祥;詹文山
主分类号	G01R33/09(2006.01)	IPC主分类号	G01R33/09(2006.01);H01L43/10(2006.01)
专利有效期	一种平面集成的三维磁场传感器及其制备方法和用途至一种平面集成的三维磁场传感器及其制备方法和用途	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种平面集成的三维磁场传感器，其包括：一个片基和其上的缓冲层，以及三个位于缓冲层上不同区域的、独立的、磁性多层膜构成的磁性传感器单元，在没有外加磁场时三个磁性传感器单元的自由层有同一个易轴方向，钉扎层的三个易轴方向相互垂直，分别具有垂直于片基平面磁场感应方向和平行于片基平面、且相互垂直的二维磁场感应方向。该平面集成的三维磁场传感器可用于检测三维磁场。由于本发明将测量三维方向的磁场传感器集中在一块芯片上，减小了传感器体积，降低了成本，大大提高了三维磁性传感器的稳定性，尤其是可以与大规模集成电路工艺相兼容，在一些特定条件下有着很多不可替代的优点。