专利详情

专利名称	采用正性电子抗蚀剂制备金属纳米电极的方法
申请号	CN200510130438.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1979768	公开（授权）日	2007.06.13
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	龙世兵;刘明;陈宝钦
主分类号	H01L21/28(2006.01)	IPC主分类号	H01L21/28(2006.01);H01L21/027(2006.01);G03F7/00(2006.01)
专利有效期	采用正性电子抗蚀剂制备金属纳米电极的方法至采用正性电子抗蚀剂制备金属纳米电极的方法	法律状态	授权
说明书摘要	一种采用正性电子抗蚀剂制备金属纳米电极的方法。本发明的主要特征是利用电子束邻近效应，采用电子束光刻(EBL)在各种衬底上获得间距为纳米尺度的一对或一组具有线条、孔等各种形状的正性电子抗蚀剂凹槽图形，再辅以金属淀积和剥离工艺制备各种金属材料纳米电极。其主要步骤包括：在衬底上涂敷正性电子抗蚀剂；前烘；电子束直写曝光；显影；定影；蒸发或溅射金属；在丙酮中进行剥离。采用这种方法制备的金属纳米电极的间距可达到30－100nm，可用于制作各种量子点器件、纳米线、纳米管器件、单电子器件等多种器件或电路。这种方法具有工艺步骤少、简单、稳定可靠、用途多、能与传统CMOS工艺兼容的优点。