专利详情

专利名称	一种半导体金属氧化物光催化剂及其制备方法和用途
申请号	CN200910111553.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101869848A	公开（授权）日	2010.10.27
申请（专利权）人	中国科学院福建物质结构研究所	发明（设计）人	高水英;曹荣
主分类号	B01J31/16(2006.01)I	IPC主分类号	B01J31/16(2006.01)I;B01J31/18(2006.01)I;B01J31/02(2006.01)I;B01J21/06(2006.01)I;B01J23/30(2006.01)I;B01J37/00(2006.01)I;A62D3/17(2007.01)I;A62D101/28(2007.01)N;A62D101/26(2007.01)N;A62D101/20(2007.01)N
专利有效期	一种半导体金属氧化物光催化剂及其制备方法和用途至一种半导体金属氧化物光催化剂及其制备方法和用途	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及半导体金属氧化物催化剂制备方法和用途。该催化剂采用层层自组装法，以多金属氧酸盐阴离子XW12O40n-(X＝B，Si，P，Ge)为无机阴离子，硫堇为有机阳离子，在半导体金属氧化物自组装上XW12-TH复合薄膜。该催化剂能够利用太阳光，对甲基橙和罗单明B染料分子等具有很好的光催化性能，在环保和节能方面具有潜在应用前景。