专利详情

专利名称	一种微电力机械系统振动射流执行器的制备方法
申请号	CN200510086971.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1970432	公开（授权）日	2007.05.30
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	欧毅;白宏磊;石莎莉;申功炘;陈大鹏
主分类号	B81C1/00(2006.01)	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01);G03F7/00(2006.01)
专利有效期	一种微电力机械系统振动射流执行器的制备方法至一种微电力机械系统振动射流执行器的制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及微电子器件制备技术领域，特别是一种MEMS振动射流执行器芯片的制备方法，方法包括：1.采用低压化学气相沉积的方法在硅衬底双面生长氮化硅膜；2.在硅基片正面光刻出上电极图形；3.蒸发铬/金薄膜；4.超声剥离； 5.掩蔽刻蚀；6.在硅基片背面光刻腐蚀窗口图形；7.胶掩蔽刻蚀背面腐蚀窗口上的氮化硅；8.湿法腐蚀释放拍动片结构；9.在第二片硅片上满片蒸发铬/金薄膜；10.在第二片硅片的金膜表面涂光学光刻胶；11.将第一片硅片的背面与涂有光刻胶的第二片硅片粘合；12.划片成线列器件；13.分别在上下硅片的金膜上焊接电极引线。应用于小型无人飞行器上。