一种铁薄膜的制备方法
- 申请号：CN201010225691.7
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院长春应用化学研究所
- 公开(公开)号：CN101886243A
- 公开(公开)日：2010.11.17
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 一种铁薄膜的制备方法 | ||
| 申请号 | CN201010225691.7 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101886243A | 公开（授权）日 | 2010.11.17 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 孟健;武晓杰;刘孝娟;吕敏峰;邓孝龙 |
| 主分类号 | C23C14/14(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/14(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种铁薄膜的制备方法 至一种铁薄膜的制备方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种铁薄膜的制备方法，该制备方法以Fe2O3陶瓷靶为溅射靶，利用磁控溅射沉积设备，用Ar与H2的混合气体为溅射及还原气体，通过选择合适的H2与Ar比例、沉积温度及生长室压力，制备了铁薄膜。由于Fe2O3靶材不是铁磁性材料，因此溅射源可以采用普通的永磁型溅射源，无需采用特殊的溅射源；同时，Fe2O3比单质铁更容易获得高纯度；此外，Fe2O3靶材的生产成本较低，有利于工业化生产。实验结果表明，本发明制备的铁薄膜结晶质量高，重复性好。 | ||
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