专利详情

专利名称	一种镨铈掺杂焦硅酸镥发光材料及其制备方法
申请号	CN201010189194.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102268734A	公开（授权）日	2011.12.07
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	任国浩;冯鹤;丁栋舟;潘尚可;陆晟;张卫东
主分类号	C30B29/34(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/34(2006.01)I;C30B13/28(2006.01)I;C30B15/20(2006.01)I;C30B1/10(2006.01)I
专利有效期	一种镨铈掺杂焦硅酸镥发光材料及其制备方法至一种镨铈掺杂焦硅酸镥发光材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及闪烁晶体或荧光粉体材料领域，提供了一种镨铈掺杂焦硅酸镥闪烁晶体或荧光粉及其制备方法，该材料的化学式为(Lu1-x-yCexPry)2Si2O7，其中：x＝0.0001～0.05，y＝0.0001～0.05。本发明在发光材料铈掺杂焦硅酸镥中额外添加Pr3+离子，通过浮区法、提拉法以及高温固相法分别合成了镨铈掺杂焦硅酸镥闪烁单晶和荧光粉，与不掺Pr3+的铈掺杂焦硅酸镥闪烁晶体或荧光粉相比，掺杂Pr3+后的铈掺杂焦硅酸镥的发光效率可以提高40～80％，明显提高了铈掺杂焦硅酸镥材料的发光效率。