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掺杂的钛钴锑基热电复合材料及其制备方法

  • 申请号:CN200610117816.8
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 公开(公开)号:CN1958820
  • 公开(公开)日:2007.05.09
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 掺杂的钛钴锑基热电复合材料及其制备方法
申请号 CN200610117816.8 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN1958820 公开(授权)日 2007.05.09
申请(专利权)人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明(设计)人 陈立东;吴汀;柏胜强;赵雪盈
主分类号 C22C12/00(2006.01) IPC主分类号 C22C12/00(2006.01);C22C30/00(2006.01);C22C1/02(2006.01)
专利有效期 掺杂的钛钴锑基热电复合材料及其制备方法 至掺杂的钛钴锑基热电复合材料及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及一类掺杂的钛钴锑基热电复合材料 及其制备方法,其特征在于所述热电复合材料组成通式为 Ti1+xCoy (Me) 1- ySbz(Me’) 1-z, 式中x=0.05-0.20,y=0.80-1.0,z=0.85-1.0;Me为Ni、 Fe、Pd和Pt中的一种;Me’为Sn、Te和Ge中的一种,x、y、 z为摩尔百分比,其制备方法特征是按组成式配料,压制成片 状,然后经二次熔炼制得分散均匀的纳米级 TiO2颗粒,在利用掺杂提高基体 材料电传输性能的同时,大幅降低材料的晶格热导率,从而提 高材料的热电性能。

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