专利详情

专利名称	一种超高强度高导电率块体纯铜材料及制备方法
申请号	CN200510047555.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1955329	公开（授权）日	2007.05.02
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	陶乃镕;李玉胜;卢柯
主分类号	C22F1/08(2006.01)	IPC主分类号	C22F1/08(2006.01)
专利有效期	一种超高强度高导电率块体纯铜材料及制备方法至一种超高强度高导电率块体纯铜材料及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及纳米晶体材料的改进技术，特别是一种具有超高强度、高导电率的块体高密度纳米孪晶金属纯铜及其制备方法。块体纯铜材料微观结构主要特征是束状高密度纳米机械孪晶，平均孪晶层片厚度为几十纳米，长度几百纳米。基体与孪晶内部皆有高密度位错存在，其拉伸屈服强度750MPa左右，其电阻率达到1.81×10^－8Ω.m。超高强度、高导电率块体纯铜材料制备方法是利用动态高速变形技术，对块体纯铜进行单方向多次处理，变形应变速率：范围10²－10⁴s^－1；变形应变量：总变形量大于1.8(计算方法：变形温度：30℃至－200℃。本发明制备的高强度、高导电率的纯铜材料对迅速发展的计算机产业及通讯电子行业具有重要价值和极大的应用空间。