专利详情

专利名称	一种层状集成的三维磁场传感器及其制备方法和用途
申请号	CN200510116757.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1955753	公开（授权）日	2007.05.02
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	王磊;韩秀峰;魏红祥;杨捍东;翟光杰
主分类号	G01R33/02(2006.01)	IPC主分类号	G01R33/02(2006.01);G01R33/09(2006.01);H01L43/10(2006.01)
专利有效期	一种层状集成的三维磁场传感器及其制备方法和用途至一种层状集成的三维磁场传感器及其制备方法和用途	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种层状集成的三维磁场传感器，其为在磁性多层膜上经常规半导体制备工艺，形成的独立的分别对三维空间感应的磁场传感器，所述的磁性多层膜包括一片基及其上的缓冲层，在缓冲层上依次沉积三个由叠加的隧道结或 /和巨磁电阻材料的磁组元件形成的磁性传感器单元，还包括在两个磁性传感器单元之间的绝缘层，及第三磁性传感器单元上的覆盖层；每一个磁性传感器单元均包括反铁磁层、钉扎层、非磁性层、和自由层，且钉扎层和自由层方向垂直，在没有外加磁场时三个磁电阻元件的自由层有一个易轴方向，钉扎层的三个易轴方向相互垂直，分别具有垂直于片基和平行于片基、且相互垂直的磁场感应方向。该三维集成地磁场传感器可用于检测三维磁场。