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基于自组装技术的交叉阵列结构有机器件制备方法

  • 申请号:CN200510109338.1
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN1949475
  • 公开(公开)日:2007.04.18
  • 法律状态:授权
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 基于自组装技术的交叉阵列结构有机器件制备方法
申请号 CN200510109338.1 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN1949475 公开(授权)日 2007.04.18
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 王丛舜;胡文平;涂德钰;姬濯宇;刘明
主分类号 H01L21/82(2006.01) IPC主分类号 H01L21/82(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L51/40(2006.01)
专利有效期 基于自组装技术的交叉阵列结构有机器件制备方法 至基于自组装技术的交叉阵列结构有机器件制备方法 法律状态 授权
说明书摘要 一种交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法, 其工艺步骤如下:1.在基片表面上淀积绝缘薄膜;2.在绝缘薄 膜表面上旋涂抗蚀剂,光刻得到下电极图形;3.蒸发、剥离金 属得到交叉线下电极;4.旋涂抗蚀剂,光刻得到与下电极交叉 的上电极图形;5.蒸发、剥离金属得到上电极;6.液相法自组 织生长有机分子材料;7.干法刻蚀多余的有机分子材料,完成 交叉线有机分子器件的制备。

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