一种GOI晶片结构的制备方法
- 申请号：CN201210225637.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 公开(公开)号：CN102738060A
- 公开(公开)日：2012.10.17
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种GOI晶片结构的制备方法 | ||
| 申请号 | CN201210225637.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102738060A | 公开（授权）日 | 2012.10.17 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张苗;叶林;狄增峰;薛忠营 |
| 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种GOI晶片结构的制备方法 至一种GOI晶片结构的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供一种GOI晶片结构的制备方法，该方法首先利用Smart-Cut技术制作出SGOI晶片结构，然后对SGOI晶片结构进行锗浓缩，从而得到GOI晶片结构。由于利用Smart-Cut技术制作的SGOI在SGOI/BOX界面基本不存在失配位错，从而最终降低了GOI的穿透位错。本发明工艺简单，可实现高质量GOI晶片结构，大大改进了锗浓缩技术，离子注入技术、退火技术在目前半导体行业都是非常成熟的工艺，该制备方法大大提高了锗浓缩在半导体工业界广泛应用的可能性。 | ||
交易流程
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