专利详情

专利名称	相变存储器存储单元及其制备方法
申请号	CN200610117153.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1933207	公开（授权）日	2007.03.21
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;刘波;封松林;陈邦明
主分类号	H01L45/00(2006.01)	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);G11C11/56(2006.01)
专利有效期	相变存储器存储单元及其制备方法至相变存储器存储单元及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种相变存储单元及其制备方法，其特征在于：在衬底上覆盖有下电极层；在下电极上覆盖有绝热材料层，绝热材料层中存在孔洞；孔洞中包含与下电极相通的空心柱状加热电极材料结构；柱状加热电极上覆盖有绝热材料层，绝热材料层中包含与柱状加热电极套刻的孔洞；且在柱状加热电极孔内和绝热材料层孔洞内含有可逆相变材料层；在相变材料层上覆盖有绝热材料层，在绝热材料层中包含孔洞，并在其内填充了与相变材料相通的上电极材料。本发明将相变材料限定在加热电极的空心柱与绝热材料中的孔洞里，在电脉冲对存储单元进行操作时，使相变材料处于高温，高压环境下，优先发生相变，诱导周围的相变材料进一步相变，从而实现相变存储单元的低压、低功耗、高速功能。