专利详情

专利名称	掺杂超晶格结构的太阳能电池及其制备方法
申请号	CN201210203837.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102738266A	公开（授权）日	2012.10.17
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	郑新和;李雪飞;张东炎;吴渊渊;陆书龙;杨辉
主分类号	H01L31/0352(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/077(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	掺杂超晶格结构的太阳能电池及其制备方法至掺杂超晶格结构的太阳能电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种掺杂超晶格结构的太阳能电池，包括第一GaAs层和有源区，所述有源区置于第一GaAs层的裸露表面上，所述有源区包括第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构，所述第二GaNAs/InGaAs超晶格结构设置于第一GaNAs/InGaAs超晶格结构表面，所述第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同，且第一GaNAs/InGaAs超晶格结构中InGaAs层和GaNAs层均掺杂同种导电类型的杂质。本发明还提供一种上述掺杂超晶格结构的太阳能电池的制备方法，在第一GaAs层的裸露表面上依次生长第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构以形成有源区，所述第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同，且第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中InGaAs层和GaNAs层均掺杂同种导电类型的杂质。