专利详情

专利名称	基于湿法剥离垂直结构发光二极管的制作方法
申请号	CN201210181322.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102709411A	公开（授权）日	2012.10.03
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	吴奎;魏同波;蓝鼎;闫建昌;刘喆;王军喜;张逸韵;李晋闽
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	基于湿法剥离垂直结构发光二极管的制作方法至基于湿法剥离垂直结构发光二极管的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种基于湿法剥离垂直结构发光二极管的制作方法，包括：在衬底上依次制作二氧化硅掩蔽层和紧密排列的自组装PS球；刻蚀、加热、蒸镀金属层；去除自组装PS球表面的金属层，形成网孔状金属层；加热使自组装PS球气化形成纳米网孔状金属层；刻蚀网孔状金属层形成二氧化硅纳米网孔阵列；用酸液腐蚀掉纳米网孔状金属层；在二氧化硅纳米网孔阵列上依次外延u-GaN层、n-GaN层、多量子阱结构、电子阻挡层和p-GaN层；将衬底磨抛减薄；在p-GaN层上依次制作金属反射镜、金属支撑衬底；在衬底激光划出沟槽；涂一层光刻胶保护层；超声去掉二氧化硅纳米网孔阵列形成空气桥；放于高温浓硫酸和磷酸混合溶液中或KOH溶液中腐蚀，使衬底与u-GaN层剥离，形成垂直结构LED管芯，形成光子晶体表面。