专利详情

专利名称	用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能的制作方法
申请号	CN200510090179.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1911781	公开（授权）日	2007.02.14
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	石莎莉;陈大鹏;李超波;焦斌斌;欧毅;叶甜春
主分类号	B81C1/00(2006.01)	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01);B81B7/00(2006.01);H01L21/00(2006.01);G01K7/00(2006.01)
专利有效期	用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能的制作方法至用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能的制作方法	法律状态	授权
说明书摘要	一种用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能的制作方法，步骤如下：在双抛光<100>硅基片双表面淀积上氮化硅薄膜和下氮化硅薄；在下氮化硅薄膜上光刻、刻蚀，形成背面阵列腐蚀窗口图形；腐蚀减薄硅基片，形成倒梯形缺口；清洗处理表面，在背面的倒梯形缺口和下氮化硅薄膜的表面上淀积氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上光刻、刻蚀，形成背面单元腐蚀窗口图形；在上氮化硅薄膜上光刻，刻蚀，形成非制冷红焦平面阵列图形；在非制冷红焦平面阵列图形上光刻，蒸金薄膜，剥离，形成间隔镀金图形；腐蚀硅基片，形成单元镂空式非制冷红外焦平面阵列器件。