专利详情

专利名称	碳硅化钛基梯度材料及原位反应的制备方法
申请号	CN200610030080.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1908214	公开（授权）日	2007.02.07
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	王连军;张建峰;江莞;陈立东
主分类号	C22C29/06(2006.01)	IPC主分类号	C22C29/06(2006.01);C22C1/05(2006.01);B22F9/04(2006.01);B22F3/14(2006.01)
专利有效期	碳硅化钛基梯度材料及原位反应的制备方法至碳硅化钛基梯度材料及原位反应的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种碳硅化钛基梯度材料及原位反应的制备方法，其特征在于所制备的梯度材料一端是单相 Ti₃SiC_{2，另一端为 Ti₃SiC_{2－TiC或SiC－TiC相，中间至少一层，制备方法是按组成，选择Ti、Si、C和Al为原料，混和后放电等离子原位反应烧结，烧结温度为1200－1500℃，升温速率为80－200℃ /min，压力为50－70MPa，保温6－10分钟。本发明特征在于使用商用粉体为原料，采用SPS原位反应烧结，反应时间短，能耗低，具有良好的产业化前景。}}