专利详情

专利名称	基于闭合状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及控制方法
申请号	CN200610011168.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1901088	公开（授权）日	2007.01.24
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	韩秀峰;马明;姜丽仙;韩宇男;覃启航;魏红祥
主分类号	G11C11/15(2006.01)	IPC主分类号	G11C11/15(2006.01);G11C7/00(2006.01)
专利有效期	基于闭合状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及控制方法至基于闭合状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及控制方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种基于闭合状磁性多层膜的磁性随机存取存储器，其使用闭合状磁性多层膜或闭合状含金属芯的磁性多层膜作为存储单元。该MRAM是通过流经存储单元中的电流的大小和方向来实现读操作和写操作；或是通过对存储单元中的金属芯施加的电流来实现写操作，通过对存储单元中的闭合状磁性多层膜施加的隧穿电流来实现读操作。与现有技术相比，该MRAM通过采用新的闭合状的磁性多层膜作为存储单元，利用正负两个方向的极化隧穿电流自身产生的环行磁场或者金属芯中正负两个方向的驱动电流产生的环形磁场，并结合自旋转力矩效应，进行数据的读写操作，使得MRAM 的控制更加简便，并降低了结构的复杂性、制造工艺难度及成本，提高了应用价值。