基于氮化硅镂空掩模的纳米电极制备方法
- 申请号：CN200510085294.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN1901141
- 公开(公开)日：2007.01.24
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 基于氮化硅镂空掩模的纳米电极制备方法 | ||
| 申请号 | CN200510085294.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN1901141 | 公开（授权）日 | 2007.01.24 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 涂德钰;王丛舜;刘明 |
| 主分类号 | H01L21/28(2006.01) | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01);B82B3/00(2006.01) |
| 专利有效期 | 基于氮化硅镂空掩模的纳米电极制备方法 至基于氮化硅镂空掩模的纳米电极制备方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 一种基于氮化硅镂空掩模的纳米电极制备方法， 其工艺步骤如下：1.在基片上双面淀积氮化硅薄膜；2.在基片 上旋涂抗蚀剂，光刻得到镂空窗口；3.利用抗蚀剂作为掩膜刻 蚀氮化硅薄膜；4.利用氮化硅作为掩膜，湿法腐蚀基片得到氮 化硅镂空薄膜；5.在镂空的氮化硅薄膜上采用聚焦离子束刻蚀 电极图形；6.利用所得到的镂空氮化硅薄膜做掩模，在衬底上 蒸发或者溅射金属得到电极。 | ||
交易流程
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