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花状结构的纳米氧化铈基复合材料及其制备方法和用途

  • 申请号:CN200510085508.7
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院物理研究所
  • 公开(公开)号:CN1899966
  • 公开(公开)日:2007.01.24
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 花状结构的纳米氧化铈基复合材料及其制备方法和用途
申请号 CN200510085508.7 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN1899966 公开(授权)日 2007.01.24
申请(专利权)人 中国科学院物理研究所 发明(设计)人 孙春文;李泓;陈立泉
主分类号 C01F17/00(2006.01) IPC主分类号 C01F17/00(2006.01);B82B1/00(2006.01)
专利有效期 花状结构的纳米氧化铈基复合材料及其制备方法和用途 至花状结构的纳米氧化铈基复合材料及其制备方法和用途 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及一种具有花状结构的纳米氧化铈基 复合材料,其为平均粒径为100nm~100μm的粉体材料,每 一个颗粒上生长厚为2~500nm薄片,呈花状结构。所述的氧 化铈基复合材料为氧化铈与选自氧化镧、氧化铜、氧化锆、氧 化钛、氧化铝、氧化镁、氧化锰、氧化铁、氧化钴、氧化镍、 氧化钒、氧化钨、氧化钼、氧化硅、氧化锌、氧化钆、氧化钇、 氧化谱、氧化钐、氧化钪、氧化铕、氧化铒、氧化镱中的一种 或两种氧化物形成的二元或三元复合氧化物;除氧化铈外的其 它氧化物与氧化铈的摩尔比为0.001~0.5∶1。该复合材料具有 非常大的比表面积,可以作为固体氧化物燃料电池的阳极材料 或贵金属催化剂的支撑体。

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