专利详情

专利名称	采用氧化硅填充－回刻的交叉阵列结构有机器件制备方法
申请号	CN200510012171.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1897322	公开（授权）日	2007.01.17
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王丛舜;涂德钰;刘明
主分类号	H01L51/40(2006.01)	IPC主分类号	H01L51/40(2006.01)
专利有效期	采用氧化硅填充－回刻的交叉阵列结构有机器件制备方法至采用氧化硅填充－回刻的交叉阵列结构有机器件制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	一种交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法，其工艺步骤如下： 1.在基片表面上淀积氮化硅薄膜；2.在氮化硅薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到电极图形；3.利用抗蚀剂掩蔽刻蚀氮化硅薄膜；4.蒸发、剥离金属得到交叉线下电极； 5.淀积氧化硅以填充氮化硅沟槽；6.刻蚀氧化硅至氮化硅薄膜表面；7.旋涂抗蚀剂，光刻得到上电极图形；8、蒸发、剥离金属得到上电极；9.去除上下电极之间残留的氧化硅；10.液相法生长有机分子材料；11.刻蚀，完成交叉线有机分子器件的制备。