专利详情

专利名称	硅基光电异质集成方法及硅基光电异质集成芯片
申请号	CN200910312831.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102117820A	公开（授权）日	2011.07.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘新宇;周静涛;申华军;张轩雄;刘洪刚;吴德馨
主分类号	H01L27/15(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/15(2006.01)I;G02B6/122(2006.01)I;G02B6/26(2006.01)I
专利有效期	硅基光电异质集成方法及硅基光电异质集成芯片至硅基光电异质集成方法及硅基光电异质集成芯片	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种硅基光电异质集成方法及硅基光电异质集成芯片，属于光电异质集成技术领域。所述方法包括：在硅晶片上设置硅基无源光子器件作为光信息传输通道；在III-V族晶片中设置CMOS微电子集成电路；在III-V族晶片上通过一次外延实现有源光子器件和CMOS微电子集成电路的有源区多层量子阱结构；采用整片的晶片键合工艺在硅晶片上键合III-V族晶片；在III-V族晶片中设置光耦合器。本发明在同一III-V族材料层中实现了微电子电路和有源光子器件的集成，为硅基光电异质集成芯片的研制和应用提供了可行性；本发明可广泛应用于研制下一代高密度、大容量、多功能的单片集成光电芯片。