专利详情

专利名称	电阻转换存储纳米结构及其自对准制造方法
申请号	CN201010532660.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102117823A	公开（授权）日	2011.07.06
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张挺;张兵;宋志棠;顾怡峰;刘波;封松林
主分类号	H01L27/24(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	电阻转换存储纳米结构及其自对准制造方法至电阻转换存储纳米结构及其自对准制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明揭示了一种电阻转换存储纳米结构及其自对准制造方法，该纳米结构是柱状的，柱状结构中包含具有开关特性的选通管和电阻转换存储单元，此外还可包含电极。本发明提出的自带选通管的电阻转换存储纳米结构及其制造方法.解决超小尺寸电阻转换纳米线与大尺寸选通管的矛盾，避开低效率、高难度集成问题，实现电阻转换纳米线与选通管的无缝对接，最终通过低成本的方法实现超高密度、高性能的电阻转换存储器阵列的高效制造。