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碳化硅陶瓷表面多孔沸石分子筛涂层材料及其制备方法

  • 申请号:CN200910013245.7
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院金属研究所
  • 公开(公开)号:CN101992126A
  • 公开(公开)日:2011.03.30
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 碳化硅陶瓷表面多孔沸石分子筛涂层材料及其制备方法
申请号 CN200910013245.7 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101992126A 公开(授权)日 2011.03.30
申请(专利权)人 中国科学院金属研究所 发明(设计)人 张劲松;矫义来;杨振明;田冲
主分类号 B01J35/10(2006.01)I IPC主分类号 B01J35/10(2006.01)I;B01J35/04(2006.01)I;B01J29/40(2006.01)I;B01J29/035(2006.01)I;B01J29/89(2006.01)I;B01J27/224(2006.01)I;B01J37/02(2006.01)I
专利有效期 碳化硅陶瓷表面多孔沸石分子筛涂层材料及其制备方法 至碳化硅陶瓷表面多孔沸石分子筛涂层材料及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明属于沸石晶体催化领域,具体的是涉及一种碳化硅陶瓷表面多孔沸石分子筛涂层材料及其制备方法。所述沸石分子筛涂层在多孔碳化硅陶瓷载体表面负载均匀,沸石分子筛涂层具有由沸石分子筛的微孔以及沸石晶体相互搭接形成的大孔组成的双重孔道结构。所述制备方法,预先在多孔碳化硅陶瓷表面涂覆一层沸石前躯体溶胶,正硅酸乙酯、四丙基氢氧化铵、去离子水之间的摩尔比为1∶0.1~1.0∶29;然后,在二次生长溶液中进行生长,正硅酸乙酯、四丙基氢氧化铵和去离子水之间的摩尔比为1∶0.05~1.0∶110。上述涂层中沸石晶体之间具有微米级的孔道,提高了沸石涂层的利用效率。同时,该方法工艺简单、能耗低,制备沸石分子筛涂层负载均匀、结合牢固。

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