专利详情

专利名称	一种具有扩展型沟槽的DRAM结构及其制作方法
申请号	CN201010263965.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101996999A	公开（授权）日	2011.03.30
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	黄晓橹;陈静;张苗;王曦
主分类号	H01L27/108(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/108(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I
专利有效期	一种具有扩展型沟槽的DRAM结构及其制作方法至一种具有扩展型沟槽的DRAM结构及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种具有扩展型沟槽的DRAM结构及其制作方法，该结构包括PMOS晶体管和与其源极相连的沟槽电容器，该沟槽电容器包括半导体衬底、交替排列的P型SiGe层和P型Si层、沟槽、电介质层和多晶硅层，沟槽位于交替排列的P型SiGe层和P型Si层内，深入至半导体衬底，其侧壁剖面为梳齿形，交替排列的P型SiGe层和P型Si层作为沟槽电容器的下极板，电介质层位于沟槽内壁表面，多晶硅层填充于沟槽内作为沟槽电容器的上极板；在交替排列的P型SiGe层和P型Si层之上还制备有N型Si层，所述PMOS晶体管制作于该N型Si层上。本发明方法用掺杂和外延技术交替生长P型SiGe层和P型Si层并用选择性刻蚀制作出梳齿形的侧壁，改进了DRAM中深槽式电容器的结构，简化了制作工艺。