专利详情

专利名称	一种线性响应巨磁电阻效应多层膜
申请号	CN200910091793.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101996734A	公开（授权）日	2011.03.30
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	刘涛;蔡建旺
主分类号	H01F10/32(2006.01)I	IPC主分类号	H01F10/32(2006.01)I;H01F10/26(2006.01)I;H01F10/30(2006.01)I
专利有效期	一种线性响应巨磁电阻效应多层膜至一种线性响应巨磁电阻效应多层膜	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种线性响应巨磁效应多层膜，该多层膜主要用作为巨磁电阻传感器的核心部件。该多层膜的特点在于其自由层为复合自由层，它在具有垂直耦合的多层膜“反铁磁偏置层/铁磁层/反铁磁间隔层/铁磁自由层”或者其反结构中“反铁磁间隔层”的上下两界面的任一处或两处插入一定厚度范围的非磁的“调控间隔层”。“调控间隔层”的插入可以很好地起到优化“铁磁自由层”线性度、大大降低其矫顽力的作用；此外，本发明通过改变“调控间隔层”的厚度可以调控“铁磁自由层”和“铁磁层”的垂直耦合强度从而调控“铁磁自由层”在垂直“铁磁层”钉扎方向的各向异性场的大小，亦即巨磁电阻传感器的磁场线性响应范围。