专利详情

专利名称	一种热解氮化硼坩埚表层镀膜方法及装置
申请号	CN200510012052.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1888126	公开（授权）日	2007.01.03
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	高永亮;惠峰;王文军
主分类号	C23C14/08(2006.01)	IPC主分类号	C23C14/08(2006.01);C23C14/24(2006.01);C30B15/00(2006.01);F27B14/10(2006.01)
专利有效期	一种热解氮化硼坩埚表层镀膜方法及装置至一种热解氮化硼坩埚表层镀膜方法及装置	法律状态	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
说明书摘要	本发明属于半导体技术领域，特别是LEC法生长体单晶的准备工艺中PBN坩埚表层镀膜方法及装置。装置包括：装挥发性材料的容器；一套加热系统和温控设备；一套支撑系统；一座封闭炉室和真空设备，提供挥发空间。方法包括：在传统处理工艺基础上，通过加热系统和温控设备控制升温、恒温、降温，将高含水 B₂O_{3脱水并使其挥发，扩散至处于低温端的PBN坩埚的表层，形成 B₂O_3薄膜。}