专利详情

专利名称	一种CMOS工艺兼容的嵌入悬浮螺管结构电感或互感的制作方法
申请号	CN200610029276.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1889233	公开（授权）日	2007.01.03
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李昕欣;顾磊
主分类号	H01L21/02(2006.01)	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/00(2006.01)
专利有效期	一种CMOS工艺兼容的嵌入悬浮螺管结构电感或互感的制作方法至一种CMOS工艺兼容的嵌入悬浮螺管结构电感或互感的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种与CMOS工艺兼容的嵌入悬浮螺管结构电感或互感的制作方法，其特征在于首先在硅片的表面电镀出电感或互感的上导线，再利用各向异性腐蚀形成“V” 字形或倒梯形的沟槽，在沟槽里面制作电感或互感的下导线，并使下导线与上导线在硅片表面处交叠，形成良好的电连接，最后采用XeF₂气体各向同性干法腐蚀释放出整个线圈结构。电感或互感的线圈由两边的二氧化硅层支撑。本发明采用常温工艺在普通硅片上实现一种高Q 值(品质因数)的螺管形电感或高增益的互感，工艺步骤简明、成品率高，整个器件工艺与CMOS工艺相兼容。且器件悬浮的嵌入于硅片内部，有利于封装和后序工艺加工。