专利详情

专利名称	一种采用微转移图案化图形作为掩模板的光刻图案化方法
申请号	CN200610017027.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1888978	公开（授权）日	2007.01.03
申请（专利权）人	中国科学院长春应用化学研究所	发明（设计）人	韩艳春;邢汝博;于新红
主分类号	G03F7/00(2006.01)	IPC主分类号	G03F7/00(2006.01)
专利有效期	一种采用微转移图案化图形作为掩模板的光刻图案化方法至一种采用微转移图案化图形作为掩模板的光刻图案化方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种采用微转移图案化图形作为掩模板的光刻图案化方法。该方法的薄膜结构具有金属薄膜、热塑性高分子薄膜、光刻胶薄膜三层组成。金属薄膜图形采用微转移图案化的方法得到，并可以作为后续的光刻掩模板，与传统的多层结构光刻图案化相比，省略了一次光刻加工。同时由于上层的图案化金属薄膜不受曝光和显影过程的影响，因此即使曝光时间或者显影时间出现偏差，金属薄膜图形依然可以保证剥离工艺得到与金属薄膜尺寸相符的传递图形。另外，由于本方法可以得到边缘直立甚至向内凹陷的光刻胶侧壁结构，因此该光刻胶图形可以用作有机发光矩阵显示的有机发光层和电极层的分隔器。加工精度达到1微米以下，高于负性光刻胶 10微米的图案化精度。