专利详情

专利名称	一种填充方钴矿基热电复合材料及其制备方法
申请号	CN200610027340.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1888105	公开（授权）日	2007.01.03
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	陈立东;赵雪盈;柏胜强;史迅
主分类号	C22C12/00(2006.01)	IPC主分类号	C22C12/00(2006.01);C22C1/03(2006.01);C22C1/05(2006.01);B22F9/04(2006.01);B22F3/105(2006.01)
专利有效期	一种填充方钴矿基热电复合材料及其制备方法至一种填充方钴矿基热电复合材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种填充方钴矿基热电复合材料及其制备方法，属于热电材料领域。该材料的组成式为 I_yA_{4B₁₂/zIO_{x，I为Yb或Eu或Ce或La或Nd或Ca或Sr中的一种，A为Sb或者Sb和Ge或Sn或Te或Se中一种的混合，B 为Co或者Co和Fe或Ni中一种的混合，y为I元素的实际填充量，y+z＝m，m大于填充方钴矿原子的填充极限。该材料采用先采用熔融法合成块体材料，即按I∶Co∶Sb＝m∶4∶12 摩尔比配料后，封入密闭的石英管中。将原料加热至熔融状态，经过充分化学反应并冷却后，获得块体材料，再用机械粉碎并研磨成粉末。然后将上述粉末用脉冲直流通电快速烧结成致密的块体。该材料在降低晶格热导率同时不影响材料的电传输性能，从而提高材料的热电转换性能。}}