专利详情

专利名称	一种晶锭与热解氮化硼坩埚脱离方法及设备
申请号	CN200510012053.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1888146	公开（授权）日	2007.01.03
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	高永亮;惠峰;王文军
主分类号	C30B9/00(2006.01)	IPC主分类号	C30B9/00(2006.01);C30B11/00(2006.01)
专利有效期	一种晶锭与热解氮化硼坩埚脱离方法及设备至一种晶锭与热解氮化硼坩埚脱离方法及设备	法律状态	授权
说明书摘要	本发明属于半导体技术领域，特别指垂直梯度凝固(VGF)法或垂直布里奇曼(VB)法生长半导体单晶工艺中晶锭与热解氮化硼(PBN)坩埚脱离方法及设备。设备包括：一套温控设备和加热炉体、一套PBN坩埚支撑系统、一台超声波发生器。方法过程如下：采用的温控设备和加热炉体用于对生长完的晶锭与PBN坩埚进行升温、恒温、降温；根据三氧化二硼 (B₂O_{3)的特性，温度降至室温，在晶锭和坩埚壁间依然会有残留，所以取出晶锭和坩埚，放入盛有甲醇的超声波发生器箱体内，进行超声处理，即可去除残留 B₂O_{3，顺利分离晶锭与PBN坩埚。}}